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Publikationen von Karl Riedling (bis 1996)

Im Druck erschienene Publikationen:

  1. K. Riedling, F. Olcaytug, W. Fallmann, "Alloyed planar diodes in indium antimonide", Electron. Lett., 15 (1979), 18, 572 - 573.
  2. K. Riedling, "Evaluation of adjustment data for simple ellipsometers", Thin Solid Films, 61 (1979), 335 - 340.
  3. F. Olcaytug, K. Riedling, W. Fallmann, "A low temperature process for the reactive formation of Si3N4 layers on InSb", Thin Solid Films, 67 (1980), 321 - 324.
  4. F. Olcaytug, K. Riedling, W. Fallmann, "C/V measurements on MIS structures on n-InSb formed by room temperature reactive deposition of Si3N4", Electron. Lett., 16 (1980), 17, 677 - 678.
  5. K. Riedling, "Error effects in the ellipsometric investigation of thin films", Thin Solid Films, 75 (1981), 355 - 369.
  6. K. Riedling, "Application of a solid state line scanner camera for advanced crystal diameter control during Czochralski crystal growth", IBM Techn. Disc. Bull., 25 (1983), 9, 4754 - 4755.
  7. K. Riedling, "Control of the melt level in a Czochralski crystal growth system by means of a solid-state line scanner camera", IBM Techn. Disc. Bull., 25 (1983), 9, 4896 - 4897.
  8. A. Kran, K.M. Kim, K. Riedling, G.H. Schwuttke, P. Smetana, "Application of computer simulation in advanced crystal growth development", Electrochem. Soc. Ext. Abstr., 83-2 (1983), 546 - 547.
  9. U. Traxlmayr, K. Riedling, E. Zinner, "On the dead time correction of ion counting systems during gated raster SIMS measurements", Intern. J. of Mass Spectrom. and Ion Proc., 61 (1984), 261 - 276.
  10. K. Riedling, "Dynamische in situ-Ellipsometrie für Grundlagenuntersuchungen und Prozeßkontrolle", Fresenius Z. für Anal. Chemie, 319 (1984), 706 - 711.
  11. K.M. Kim, A. Kran, K. Riedling, P. Smetana, "Digital control of Czochralski silicon crystal growth", Solid State Technol., 28 (1985), 1, 165 - 168.
  12. K. Riedling, G.H. Schwuttke, R. Ware, "Interactive computer control of GaAs crystal growth", Proceedings of the DARPA GaAs Technology Review, Washington, 1985, 849 - 876.
  13. K. Riedling, "Accuracy of digital Fourier transformation detection systems for high speed rotating analyzer ellipsometers", Thin Solid Films, 155 (1987), 151 - 163.
  14. K. Riedling, G.H. Schwuttke, K.A. Pandelisev, R.C. White, "Automatisierung des LEC-Kristallziehprozesses für GaAs mittels "intelligenter" digitaler Prozeßregelung", in: Mikroelektronik 87, Berichte der Informationstagung ME 87, Springer, Wien - New York, 1987, 87 - 93.
  15. K. Riedling, "Autonomous Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) growth of single crystal GaAs by "intelligent" digital control", J. Cryst. Growth, 89 (1988), 435 - 446.
  16. R.C. White, K. Riedling, K.A. Pandelisev, G. Xu, G.H. Schwuttke, "Digital control of LEC gallium arsenide growth", Proceedings des 1987 International Symposium on Mathematics of Networks and Systems, Tempe, Arizona, 1987.
  17. K. Riedling, "High-speed ellipsometry of dynamic processes", Proceedings "Aplikovaná Optika '89", Band 2, Praha 1989, ISBN 80-02-99332-2, 189 - 209.
  18. F. Olcaytug, K. Pirker, R. Schallauer, F. Kohl, G. Urban, A.Jachimowicz, O. Prohaska, W. Fallmann, K. Riedling, "Amorphous carbon films for sensor applications", in: Materials Science Forum 52/53 (1990), Properties and Preparation of Amorphous Carbon Films, eds. J.J. Pouch, S.A. Alterowitz, Trans Tech Publ., Switzerland.
  19. W. Fallmann, B. Luger, K. Riedling, W. Ripl, P. Svasek, W. Winkler, "Autonome Datenerfassungseinheiten für Umweltparameter", in: Mikroelektronik 91, Berichte der Informationstagung ME 91, Fric, Wien 1991, ISBN 3-85094-300-3, 143 - 148.
  20. K. Riedling, W. Ripl, W. Fallmann, W. Frischauf, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "Langzeit-Registrierung von Umweltparametern", in: Mikroelektronik 93, Berichte der Informationstagung ME 93, ÖVE-Schriftenreihe Nr. 5, Wien 1993, ISBN 3-85133-000-5, 147 - 152.
  21. K. Riedling, W. Ripl, W. Fallmann, W. Frischauf, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "Autonome Datenerfassungs- und Registriereinheiten für Umweltparameter", Österr. Chemie-Zeitschrift 2/1994, 36 - 40.
  22. K. Riedling, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "Strategies for the design of systems for the monitoring of environmental parameters", Experimental Technique of Physics, Vol. 40, No. 2, 1994, pp. 151 - 164.
  23. K. Riedling, W. Ripl, W. Fallmann, Ch. Hildmann, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "Autarke Datenakquisitionssysteme für das Monitoring hydrologischer Parameter", in: Multisensorpraxis, ed. H. Ahlers, ISBN 3-540-58997-X, 239 - 254.
  24. K. Riedling, W. Fallmann, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "Sensoren in Mikro-Technologie für die Messung von Umweltparametern", Tagungsbericht des Seminars "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1995, ISBN 3‑901578-01-3, 15 - 18.
  25. K. Riedling, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "Akquisition und Korrektur von Umweltmeßdaten", in: Berichte der Informationstagung ME95, ÖVE-Schriftenreihe Nr. 8, Wien 1995, ISBN 3-85133-003-X, 259 - 264.
  26. D. Pum, G. Stangl, C. Sponer, K. Riedling, P. Hudek, W. Fallmann, U.B. Sleytr, "Patterning of Monolayers of Crystalline S-layer Proteins on a Silicon Surface by Deep Ultraviolet Radiation", 35 (1997), 297 - 300.

Bücher:

  1. K. Riedling, "Ellipsometry for industrial applications", Springer, Wien - New York, 1987, x + 99p.; ISBN 3-211‑ 82040-X (Springer Wien-New York); ISBN 0-387-82040-X (Springer New York - Wien).

Vorträge und Posterpräsentationen (* mit Begutachtungsverfahren):

  1. K. Riedling, "Oberflächenpassivierungsschichten", Seminar "Technologie in der Mikroelektronik", Großarl, 1977.
  2. K. Riedling, "Oberflächenanalyse mit ellipsometrischen Methoden", Seminar "Technologie in der Mikroelektronik", Großarl, 1979.
  3. K. Riedling, "Planare Legierungstechnik für Indiumantimonid", Seminar "Technologie in der Mikroelektronik", Großarl, 1979.
  4. K. Riedling, F. Olcaytug, "Planartechnologie für Indiumantimonid", Informationstagung Mikroelektronik, Wien, 1979. *)
  5. K. Riedling, "Oberflächenanalyse in der Mikroelektronik mit ellipsometrischen Methoden", Informationstagung Mikroelektronik, Wien, 1979. *)
  6. F. Olcaytug, K. Riedling, "Niederdruckplasma-Nitride auf InSb", Tagung der Österreichischen Gesellschaft für Vakuumtechnik (ÖGV), Wien, 1980. *)
  7. K. Riedling, F. Olcaytug, G. Nauer, "In situ ellipsometry of dynamic processes", Symposium on Surface Science 3S'83, Obertraun, 1983. *)
  8. K. Riedling, "Dynamische in situ-Ellipsometrie", Seminar "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1983.
  9. K. Riedling, "Dynamische in situ-Ellipsometrie", Seminar "Tiefenprofilmessungen an Festkörpern", TU Wien, 1983.
  10. A. Kran, K.M. Kim, K. Riedling, G.H. Schwuttke, P. Smetana, "Application of computer simulation in advanced crystal growth development", Electrochem. Soc. Fall Meeting, 1983. *)
  11. K. Riedling, "Oberflächenuntersuchungen mit in situ-Ellipsometrie", Jahrestagung der Österr. Phys. Ges. (ÖPG), Linz, 1983. *)
  12. K. Riedling, "In situ-Ellipsometrie in der mikroelektronischen Technologie", Informationstagung Mikroelektronik, Wien, 1983. *)
  13. K. Riedling, "In situ-Ellipsometrie an dünnen Schichten fester Körper", Halbleiterfachabend am Ludwig Boltzmann-Institut für Festkörperphysik, Wien, 1983.
  14. K. Riedling, "Dynamische in situ-Ellipsometrie für Grundlagenuntersuchungen und Prozeßkontrolle", 3. Arbeitstagung Oberflächenanalytik, Jülich, 1984. *)
  15. K.M. Kim, A. Kran, K. Riedling, P. Smetana, "Digital control of Czochralski silicon crystal growth", 6th Amer. Conf. on Crystal Growth, Atlantic City, 1984. *)
  16. K. Riedling, F. Olcaytug, "Prozeßüberwachung und -kontrolle mit in situ-Ellipsometrie", Tagung der Österreichischen Gesellschaft für Vakuumtechnik (ÖGV), Reutte, Austria, 1984.
  17. F. Olcaytug, K. Pirker, R. Schallauer, K. Riedling, "Reaktive Glimmentladungsprozesse für die Mikrotechnologie", Tagung der Österreichischen Gesellschaft für Vakuumtechnik (ÖGV), Reutte, Austria, 1984.
  18. K. Riedling, Accuracy considerations for rotating analyser ellipsometers, Symposium on Surface Science 3S'85, Obertraun, 1985. *)
  19. K. Riedling, "Accuracy of digital Fourier transformation detection systems for rotating analyser ellipsometers", Seminar "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1985.
  20. F. Olcaytug, K. Pirker, R. Schallauer, K. Riedling, "Reaktive Glimmentladungsprozesse für die Mikrotechnologie", Seminar "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1985.
  21. K. Riedling, G.H. Schwuttke, R. Ware, "Interactive computer control of GaAs crystal growth", DARPA GaAs Technology Review, Washington, 1985 (eingeladen).
  22. F. Kohl, F. Olcaytug, K.Pirker, K. Riedling, R. Schallauer, W. Fallmann, "Plasma deposition and etching methods for microelectronics and medical applications", 8th International Conference on Vacuum Metallurgy, Linz, 1985. *)
  23. K. Riedling, "Digital control of the Czochralski growth of gallium arsenide", DARPA Project Review Meeting, Tempe, Arizona, 1985.
  24. K. Riedling, "Computerunterstützte Czochralski-Kristallzucht von Galliumarsenid", Halbleiterfachabend am Ludwig Boltzmann-Institut für Festkörperphysik, Wien, 1986.
  25. G.H. Schwuttke, K.A. Pandelisev, K. Riedling, R.C. White, "Interactive digitally controlled GaAs LEC growth", DARPA GaAs Technology Review, Washington, 1986. *)
  26. K. Riedling, "Digital control of GaAs Czochralski growth - Digital controller concepts and achievements", 1st National Workshop on Bulk Crystal Growth, Tempe, Arizona, 1986 (eingeladen).
  27. K. Riedling, "Process control and sensors", Podiumsdiskussion, 1st National Workshop on Bulk Crystal Growth, Tempe, Arizona, 1986 (eingeladen).
  28. K. Riedling, G.H. Schwuttke, K.A. Pandelisev, R.C. White, "Intelligent digital control of the Czochralski process for GaAs crystal growth", Seminar "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1987.
  29. G.H. Schwuttke, K. Riedling, K.A. Pandelisev, R.C. White, M. Javidi, "Interactive-digitally controlled LEC crystal growth", DARPA GaAs Technology Review, Washington, 1987. *)
  30. G.H. Schwuttke, K. Riedling, K.A. Pandelisev, R.C. White, M. Javidi, "Characterization of GaAs crystals", MIT Crystal Growth Workshop, Cambridge, Massachusetts, 1987. *)
  31. R.C. White, K. Riedling, G. Xu, G.H. Schwuttke, "Systems identification and simulation of GaAs growth", MIT Crystal Growth Workshop, Cambridge, Massachusetts, 1987. *)
  32. G.H. Schwuttke, K. Riedling, K.A. Pandelisev, M. Javidi, R.C. White, "Autonomous Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) growth of single crystal gallium arsenide", III-V International Materials Symposium, 171st Electrochemical Society Meeting, Philadelphia, 1987 (J. Electrochem. Soc. 134 (1987), 231C - 232C). *)
  33. R.C. White, K. Riedling, G. Xu, K.A. Pandelisev, G.H. Schwuttke, "Digital control of GaAs crystal growth" 1987 International Symposium on Mathematics of Networks and Systems, Tempe, Arizona, 1987. *)
  34. K. Riedling, G.H. Schwuttke, K.A. Pandelisev, R.C. White, "Verbesserung der Qualität von LEC-gezogenen GaAs-Einkristallen durch "intelligente" Prozeßkontrolle", Jahrestagung der Österr. Phys. Ges. (ÖPG), Graz, 1987. *)
  35. K. Riedling, G.H. Schwuttke, K.A. Pandelisev, R.C. White, "Automatisierung des LEC-Kristallziehprozesses für GaAs mittels "intelligenter" digitaler Prozeßregelung", Informationstagung Mikroelektronik, Wien, 1987. *)
  36. K. Riedling, G.H. Schwuttke, K.A. Pandelisev, R.C. White, ""Intelligente" digitale Kontrolle des LEC-Prozesses für GaAs - neuere Ergebnisse", Halbleiterfachabend am Ludwig Boltzmann-Institut für Festkörperphysik, Wien, 1987.
  37. K. Riedling, "Neue Methoden in der Automatisierung des Czochralski-Ziehprozesses am Beispiel des Galliumarsenid", Habilitationsvortrag, TU Wien, 1987.
  38. K. Riedling, U. Traxlmayr, "Ellipsometrische Untersuchung von Mehrfachschichten - Möglichkeiten und Grenzen", Seminar "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1989.
  39. K. Riedling, "High-speed ellipsometry of dynamic processes", Internationale Tagung "Applied Optics '89" ("Aplikovaná Optika '89"), Prag, 1989 (eingeladen).
  40. K. Riedling, "High-speed ellipsometry of dynamic processes", J.E. Purkyne Univ., Brünn, 1989 (eingeladen).
  41. W. Fallmann, B. Luger, K. Riedling, W. Ripl, P. Svasek, W. Winkler, "Autonome Datenerfassungseinheiten für Umweltparameter", Seminar "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1991.
  42. K. Riedling, "Ellipsometrische Oberflächenanalyse in der Mikroelektronik - Neuere Entwicklungen", Seminar "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1991.
  43. W. Fallmann, B. Luger, K. Riedling, W. Ripl, P. Svasek, W. Winkler, "Autonome Datenerfassungseinheiten für Umweltparameter", Informationstagung ME 91, Wien, 1991.
  44. K. Riedling, "Spektroskopische und in situ-Ellipsometrie - Stand der Technik", Seminar "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1993.
  45. K. Riedling, W. Ripl, W. Fallmann, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "Langzeit-Meßsystem für Umweltparameter", Seminar "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1993.
  46. K. Riedling, W. Ripl, W. Fallmann, W. Frischauf, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "Langzeit-Registrierung von Umweltparametern", Informationstagung ME 93, Wien 1993.
  47. K. Riedling, "Aspekte der Anwendung von Mikrotechniken für das Monitoring von Umweltparametern", 6. Workshop "Mikrotechniken und Mikrosensoren für Umwelt, Biologie und Medizin", Jena 1994. *)
  48. K. Riedling, W. Fallmann, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "Sensoren in Mikro-Technologie für die Messung von Umweltparametern", Seminar "Grundlagen und Technologie elektronischer Bauelemente", Großarl, 1995.
  49. K. Riedling, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "Akquisition und Korrektur von Umweltmeßdaten", Informationstagung ME95, Wien 1995.
  50. D. Pum, G. Stangl, C. Sponer, K. Riedling, P. Hudek, W. Fallmann, U.B. Sleytr, "Patterning of Monolayers of Crystalline S-layer Proteins on a Silicon Surface by Deep Ultraviolet Radiation", Micro- and Nanoengineering 96, Glasgow, 1996. *)

Sonstige Berichte und Veröffentlichungen:

  1. K. Riedling, "Der innere Photoeffekt in CdS", Diplomarbeit, Institut für Allg. Elektrotechnik, TH Wien, 1971, 246p.
  2. F. Paschke, O. Buchegger, K. Riedling, "Die Realisierung des Lawinen-Laufzeit-Transistors", Bericht PS1 zum Forschungsschwerpunkt "Plasma- und Halbleiterforschung in Elektrotechnik und Physik", Wien, 1972, 5 - 25.
  3. W. Fallmann, F. Olcaytug, K. Riedling, "Die Herstellung von Oberflächenpassivierungsschichten aus Siliziumnitrid", Bericht PS2 zum Forschungsschwerpunkt "Plasma- und Halbleiterforschung in Elektrotechnik und Physik", Wien, 1973, 3 - 23.
  4. K. Riedling, "Herstellung von p-n-Übergängen auf Indiumantimonid", Bericht PS3 zum Forschungsschwerpunkt "Plasma- und Halbleiterforschung in Elektrotechnik und Physik", Wien, 1974, 4 - 27.
  5. F. Olcaytug, K. Riedling, "Vorarbeiten zur Realisierung des Lawinenlaufzeittransistors", Bericht PS4 zum Forschungsschwerpunkt "Plasma- und Halbleiterforschung in Elektrotechnik und Physik", Wien, 1975, 3 - 22.
  6. J. Heiling, F. Olcaytug, K. Riedling, "Entwicklung einer Planartechnologie für Indiumantimonid", Bericht PS5 zum Forschungsschwerpunkt "Plasma- und Halbleiterforschung in Elektrotechnik und Physik", Wien, 1976, 3 - 20.
  7. J. Heiling, F. Olcaytug, K. Riedling, "Untersuchungen an reaktiv hergestellten Siliziumnitrid-Passivierungsschichten", Bericht PS6 zum Forschungsschwerpunkt "Plasma- und Halbleiterforschung in Elektrotechnik und Physik", Wien, 1977, 3 - 29.
  8. F. Olcaytug, K. Riedling, "Entwicklung einer Indiumantimonid-Planartechnologie", Bericht PS7 zum Forschungsschwerpunkt "Plasma- und Halbleiterforschung in Elektrotechnik und Physik", Wien, 1978, 2 - 12.
  9. K. Riedling, "Technologie legierter Planardioden aus Indiumantimonid", Dissertation, TU Wien, 1979, 156p.
  10. H. Binner, W. Fallmann, F. Pacha, K. Riedling, "Studie über die Gründung eines Mikroelektronik-Forschungsinstituts", Wien, 1979, 105p.
  11. K. Riedling, "Program "ELLIPS" - ellipsometric data reduction program", in: Characterization of silicon, Technical Report, IBM East Fishkill, Hopewell Junction, USA, 1981, 79 - 115.
  12. K. Riedling, "Möglichkeiten einer Aktivität auf dem Gebiet billiger Silizium-Solarzellen in Österreich", Wien, 1981, 56p.
  13. K. Riedling, "Fortran-RMX-80 interface program package", IBM Internal Report, IBM East Fishkill, Hopewell Junction, USA, 1982, 122p.
  14. K. Riedling, "Czochralski crystal growth system - software reference manual", IBM Internal Report, IBM East Fishkill, Hopewell Junction, USA, 1982, 125p.
  15. K. Riedling, "Microcomputer control of Czochralski silicon crystal growth", in: Biannual Research Report 1980/81, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1982, 58 - 59.
  16. K. Riedling, "Optische Oberflächenanalyse verbessert IC-Qualität (Die Ellipsometrie - ein physikalisches Meßverfahren im Dienste der Mikroelektronik)", Elektronikschau, 10/1983, 32 - 42.
  17. K.M. Kim, A. Kran, K. Riedling, P. Smetana, "Digital control of Czochralski Silicon crystal growth", Technical Report TR22.2542, IBM East Fishkill, Hopewell Junction, USA, 1983, 26p.
  18. K. Riedling, "In situ-ellipsometry", in: Biannual Research Report 1982/83, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1984, 46 - 51.
  19. K. Riedling, "In situ ellipsometry of dynamic processes in microelectronics and electrochemistry", Intermediate Report No.1, Project P-5016, Techn. Univ. Wien, 1984, 98p.
  20. K. Riedling, "In situ ellipsometry of dynamic processes in microelectronics and electrochemistry", Intermediate Report No.2, Project P-5016, Techn. Univ. Wien, 1985, 45p.
  21. K. Riedling, "Czochralski GaAs crystal growth controller - Short reference", Report for Arizona State Univ., Tempe, Arizona, 1985, 37p.
  22. K. Riedling, "Digital control of the Czochralski growth of gallium arsenide - Controller software reference manual", Report for Arizona State Univ., Tempe, Arizona, 1986, 133p.
  23. K. Riedling, "The construction of a high-speed ellipsometer", in: Biannual Research Report 1984/85, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1986, 65 - 68.
  24. K. Riedling, "A digital controller for the Czochralski growth of gallium arsenide", in: Biannual Research Report 1984/85, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1986, 69 - 75.
  25. K. Riedling, "In situ ellipsometry of dynamic processes in microelectronics and electrochemistry", Intermediate Report No.3, Project P-5016, Techn. Univ. Wien, 1986, 17p.
  26. K. Riedling, "Czochralski GaAs crystal growth controller - Short reference", Issue 4, Report for Arizona State Univ., Tempe, Arizona, 1986, 85p.
  27. K. Riedling, "Czochralski GaAs crystal growth controller - Operator's manual",  Report for Arizona State Univ., Tempe, Arizona, 1986, 82p.
  28. K. Riedling, "Digital control of the Czochralski growth of gallium arsenide - Controller software reference manual", Issue 4, Report for Arizona State Univ., Tempe, Arizona, 1987, 193p.
  29. K. Riedling, "FORTRAN-RMX-80 interface program package", Issue 4, Report for Arizona State Univ., Tempe, Arizona, 1987, 133p.
  30. K. Riedling, "RXISIS-II user's guide", Issue 2, Report for Arizona State Univ., Tempe, Arizona, 1987, 45p.
  31. K. Riedling, "Digital control of the Czochralski growth of gallium arsenide - System reference manual", Report for Arizona State Univ., Tempe, Arizona, 1987, 412p.
  32. K. Riedling, "Contributions to the improvement of processes in the technology of microelectronic devices", Habilitationsschrift, Techn. Univ. Wien, 1987, ca. 130p.
  33. K. Riedling, "Autonomous Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) growth of GaAs by "intelligent" digital control", in: Biannual Research Report 1986/87, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1988, 108 - 114.
  34. K. Riedling, "DLELLIPS - Evaluation program for ellipsometric measurements on double layers", Software Reference Manual, Bericht für Philips VIW Wien, Wien, 1989, 49p.
  35. K. Riedling, "DLELLIPS and AUTOELL: Programs for the evaluation of ellipsometric measurements on double-layer structures"; Software Reference Manual, Bericht für Philips VIW Wien, Wien, 1989, 54p.
  36. K. Riedling, "In situ ellipsometry of dynamic processes in microelectronics and electrochemistry", Final report, Project P-5016, Techn. Univ. Wien, 1990, 74p.
  37. K. Riedling, U. Traxlmayr, "Investigation of double-layer thin film structures by dual angle of incidence ellipsometry", in: Biannual Research Report 1988/89, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1990, 148 - 158.
  38. W. Fallmann, B. Luger, K. Riedling, P. Svasek, W. Winkler, "Autonomous data acquisition unit for environmental protection applications", in: Biannual Research Report 1988/89, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1990, 159 - 168.
  39. K. Riedling, "Auswerteprogramm "PEGEL" für Grundwasserpegelmessungen mit der Pegel-Meßsonde "GANGA"", Benützer-Handbuch, Wien, 1990, 195p.
  40. K. Riedling, "Auswerteprogramm "PEGEL" für Grundwasserpegelmessungen mit der Pegel-Meßsonde "GANGA"," Benützer-Handbuch, 4. Ausgabe, Wien, 1991, xviii + 299p.
  41. W. Fallmann, B. Luger, K. Riedling, P. Svasek, W. Winkler, "Autonomous data acquisition units for environmental protection applications", in: Biennial Research Report 1990/91, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1992, 120 - 121.
  42. K. Riedling, "Echtzeit-Prozeßkontrolle mit Mikrocomputern", Vorlesungsskriptum, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1993, ca. 200p.
  43. K. Riedling, W. Ripl, W. Fallmann, W. Frischauf, B. Luger, P. Svasek, W. Winkler, "A family of autonomous data acquisition units for environmental protection applications", in: Biennial Research Report 1992/93, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1994, 140.
  44. K. Riedling, "Technisches Programmieren in C++", Vorlesungsskriptum, Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, Techn. Univ. Wien, 1994, ca. 272p.
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